主要技术指标:
灵敏度:单晶硅一级峰 He—Ne(632.8nm)25 mw,狭缝50μm计数大于3000,
Ar+(514.5 nm)20 mw,狭缝50μm计数大于1500
能测出单晶硅的二级峰
分辨率: Ar+(514.5 nm),狭缝~15μm时单晶硅一级峰半高宽小于
2.4 cm
-1
He—Ne(632.8nm),狭缝~15μm时单晶硅一级峰半高宽小于
2.0 cm
-1
稳定性:多次检测单晶硅一级峰位移误差优于±
1cm
-1
主要附件:LINKAM TMS 93 型显冷热台(-194℃~
600℃
)
Linkam TH600高倍显微镜与冷热台
莱兹1350型高温热台
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